高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立 -4価のスズ不純物を取り除くスカベンジャー法の開発-

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若宫淳志 化学研究所 教授、中村智也 同助教、ミンアン?チョン 同助教、シュアイフェン?フ 同博士課程学生、大塚健斗 同修士課程学生、半田岳人 同特任助教、金光義彦 同教授、リチャード?マーディ 同講師、 大北英生 工学研究科教授、 笹森贵裕 名古屋市立大学 教授らの研究グループは、スズ系ペロブスカイト前駆体溶液中の4価のスズ不纯物を系中で取り除く手法を开発しました。これにより、优れた半导体特性を示す、高纯度スズ系ペロブスカイト半导体膜の作製法を确立することができました。

本研究成果は、2020年6月16日に、国際学術誌「Nature Communications」のオンライン版に掲載されました。

図:本研究の概要図

详しい研究内容について

书誌情报

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Tomoya Nakamura, Shinya Yakumaru, Minh Anh Truong, Kyusun Kim, Jiewei Liu, Shuaifeng Hu, Kento Otsuka, Ruito Hashimoto, Richard Murdey, Takahiro Sasamori, Hyung Do Kim, Hideo Ohkita, Taketo Handa, Yoshihiko Kanemitsu & Atsushi Wakamiya (2020). Sn(IV)-free tin perovskite films realized by in situ Sn(0) nanoparticle treatment of the precursor solution. Nature Communications, 11:3008.

  • 日刊工業新聞(6月17日 25面)に掲載されました。