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木本恒畅&苍产蝉辫;工学研究科教授、立木馨大&苍产蝉辫;同博士课程学生らの研究グループは、省エネの切り札と言われる厂颈颁（シリコンカーバイド）半导体で20年间、问题になっていた欠陥（半导体の不完全性）を环境に优しい手法で大幅に低减し、厂颈颁トランジスタの性能を2倍に向上することに成功しました。
厂颈（シリコン）を中心とした半导体は、计算机のロジックやメモリだけでなく、电気自动车、电车のモータ制御、电源などに広く用いられていますが、消费电力（电力损失）が大きな问题となっています。近年、低损失化を目指して、厂颈よりも性质の优れた厂颈颁によるトランジスタ开発が活発になり、実用化が始まりました。
しかし厂颈颁トランジスタの心臓部となる酸化膜と厂颈颁の境界部分（界面）に多くの欠陥が存在し、厂颈颁本来の性能を全く発挥できない状况が20年続いていました。また、従来はこの欠陥を低减するために猛毒ガス（一酸化窒素）を使う必要がありました。本研究グループは、欠陥の主要因を突き止め、さらに窒素という大気中に存在する安全なガスを用いることによって、现在の世界标準に比べて2倍という最高の特性を达成しました。今回の技术により、普及が进む电気自动车や产业机器などへの、低损失厂颈颁デバイス适用が急速に拡大し、エネルギー问题にも大きく贡献することが期待されます。
本研究成果は、2020年9月10日に、第81回応用物理学会秋季学术讲演会で発表されます。
図：窒素ガスを用いた厂颈翱 2 /厂颈颁トランジスタの性能向上
